Filtres C-Seal à montage en surface IGS avancés pour systèmes de gaz semi-conducteurs ultra-purs

Filtres C-Seal à montage en surface IGS avancés pour systèmes de gaz semi-conducteurs ultra-purs

Description courte :


  • Marque:HENGKO
  • Nom du filtre :Filtre à joint C à montage en surface IGS
  • Matériel:SS 316L
  • Débit :10 à 120 SLPM
  • Température de fonctionnement maximale :460° C
  • Taille des particules enlevées :> 0,003 μm
  • Détails du produit

    Étiquettes de produit

    Description

    Les filtres CMS HENGKO sont conçus pour répondre aux exigences rigoureuses des systèmes de gaz intégrés utilisés dans les outillages des fabricants de semi-conducteurs. Offrant une filtration de pointe à 0,003 µm, ces filtres garantissent des performances et une fiabilité exceptionnelles avec une efficacité d'interception des particules ≥ 99,9999999 % (9-LRV) à 120 slpm.

    Fabriqués en acier inoxydable 316L fritté, ces filtres robustes sont conformes à la norme SEMI F86-0304. Ils sont dotés de composants à deux orifices adaptés aux systèmes de distribution de gaz de 1,125 pouce avec une configuration à joint en C. Ils supportent une pression d'entrée maximale de 3,4 MPa à 100 °C et une différence de pression de service maximale de 0,69 MPa à 100 °C.

    Ces filtres spécialisés, compatibles avec les spécifications des joints de type C et de type W, assurent une propreté en aval avec libération de particules de

    Avec une finition de surface de Ra< 1,6 µm à l'extérieur et RaAvec une granulométrie inférieure à 0,13 µm à l'intérieur, ces filtres sont conçus pour résister à des températures élevées allant jusqu'à 460 °C. Conçus pour une intégration facile et des mises à niveau modulaires, ils simplifient l'installation et la maintenance, contribuant ainsi à optimiser les performances du système dans les applications de distribution et de contrôle des gaz pour semi-conducteurs.

     

    Caractéristiques du produit

    ▶ Construction entièrement en acier inoxydable 316L
    ▶ Conception miniaturisée, structure compacte, gain de place
    ▶ Excellentes caractéristiques de remplacement et de désorption des gaz
    ▶ Résistant aux hautes températures, aux hautes pressions et à la corrosion
    ▶ Boîtier en acier inoxydable 316L électropoli
    ▶ Installation et maintenance faciles et efficaces
    ▶ Étanchéité mécanique, structurellement non soudée au fluide

     

    Filtres à joint C à montage en surface IGS haute performance pour systèmes de distribution de gaz pour semi-conducteurs

     

    Fiche de données

    Paramètres techniques Valeurs
    Matériau de l'élément filtrant Poudre frittée pour acier inoxydable 316L
    Matériau du boîtier Acier inoxydable 316L
    Pression d'entrée maximale 3,4 MPa à 100 °C
    Différentiel de fonctionnement maximal 0,69 MPa à 100 °C
    Taux de fuite de vérification de l'hélium 1 x 10⁻¹¹ cc/min
    Taux de fuite lors du test à l'hélium 1 x 10⁻⁹ cc/min
    Traitement de surface Rayonnement de la surface externe< 1,6 μm
      Surface intérieure Ra< 0,13 μm
    Température maximale de fonctionnement 460 °C
    Efficacité d'interception des particules ≥99,9999999 % (9-LRV) à 120 slpm (MPPS de référence, toutes particules)
    Propreté en aval Libération de particules :< 0,03 particules/litre (< 1 particule/ft³)
      Composés volatils :< 10 ppb d'humidité
    Taille d'interception des particules ≥0,003 μm
    Plage de débit 0 ~ 120 slpm

     

    Taille

    dimensions des filtres à montage en surface

    Voici la référence de la pièce que vous pouvez commander et les détails de taille :

    Modèle de produit Débit Hauteur H (mm) Précision de filtration Niveau de nettoyage
    Z01B-00637 10 slpm 51,6 0,003 μm C
    Z01B-00638 40 slpm 82,9 0,003 μm C
    Z01B-00687 80 slpm 126.2 0,003 μm C
    Z01B-00688 120 slpm 167,9 0,003 μm C

     

    Applications typiques

    Pour une utilisation avec les systèmes de distribution de gaz modulaires à montage en surface W-seal et C-seal de 1,125" et 1,5".

     

    Systèmes de distribution de gaz à filtre C-Joint C à montage en surface discret IGS Filters pour semi-conducteurs

     

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